2025年底，三星正式亮出全球首颗2nm芯片——猎户座Exynos2600。
这颗采用三星自家GAAFET 2nm技术制造、第二代GAA工艺加持的芯片，10核设计下性能飙升39%，配合HPB技术温效还降了16%。虽然晶体管密度等细节还没完全公开，但全球芯片工艺已正式迈入2nm时代，这事儿板上钉钉。
反观咱们国内，芯片制造工艺还在等效7nm水平晃悠。以前三星、台积电搞3nm时，咱们和他们的差距是5nm、3nm两代；现在三星冲到2nm，台积电也快跟上，差距直接拉大到5nm、3nm、2nm三代。这数字看着扎心，但确实是实打实的现状。
有人可能会说：“咱们用浸润式光刻机也能搞5nm芯片！”可这事儿得掰扯清楚——没EUV光刻机，造7nm以下芯片比登天还难。理论上浸润式DUV能搞5nm甚至3nm，但得经过多轮曝光，技术上能不能成还是未知数。毕竟没厂商用浸润式DUV造过5nm芯片，台积电当年用浸润式造了7nm就火速换EUV了。就算技术上能成，良率也得大打折扣，直接影响芯片成本和制造效率。
说到底，关键还是得有EUV光刻机。可买是买不到了——ASML早就摊牌，卖给中国的光刻机相当于2013、2014年卖给西方的，落后十年以上，连最先进的浸润式DUV都不给，更别说EUV了。所以咱们只能自己造。
但造EUV光刻机可不是搭积木。EUV光源、物镜系统这些核心部件，供应链全被ASML绑在战车上。比如EUV光源需要高功率激光器，技术门槛高得离谱；物镜系统得用超精密光学元件，加工难度堪比绣花。这些坎儿，都得一个个迈过去。
不过再难也得造。要是造不出自己的EUV，咱们和三星、台积电的芯片制造技术差距只会越拉越大，这后果咱们承受不起。毕竟芯片是现代工业的“粮食”，从手机到汽车，从人工智能到国防科技，都离不开它。要是芯片制造技术落后，整个产业链都得受牵连。
现在咱们国内也有不少企业和科研机构在攻关EUV技术，比如中科院、上海微电子等。虽然进展可能没那么快，但只要坚持投入，持续创新，总有一天能突破这些技术壁垒。
三星2nm芯片的推出，确实让咱们看到了差距。但这不是坏事，反而提醒咱们得更努力。国产化不是为了“面子”，而是为了产业链安全，为了不被别人卡脖子。只要咱们坚持自主研发，不断突破，总有一天能迎头赶上，甚至实现反超。毕竟，咱们中国人最擅长的，就是把“不可能”变成“可能”。
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